通态损耗包括开关器件导通时正向通态损耗及反并联二极管续流时的续流损耗。开关器件瞬时功耗应为导通压降与电流的乘积。与漏源电压、门极电压、通态电流、温度等参数有关系。在厂家提供的器件参数中，大部分以曲线形式给出。
对于低压大电流系统，MOSFET是较为适用的功率器件，低压下导通压降较小，开关频率较高，易于驱动。所以针对MOSFET进行了分析，由于所作的分析具有普遍性，因此该分析也适用于其由他器件构成的电路。给出了不同温度下，某型号MOSFET的内阻与温度、电流的关系。
不同厂家所给出的MOSFET静态参数有所不同。如通态电阻S0，通常规定，在确定的栅压Vgs下，功率MSOFET由可调电阻区进入饱和区时的直流电阻为通态电阻，它是影响最大输出功率的重要参数。由图中看出，可以将功率MOS的vS0、D0忽略为零。采用导通阻抗尽可能小的MOSFET和采用器件并联方式可以减小通态损耗。但MOSFET并联无法减小其内部寄生的反并联二极管固定通态压降，因此必须考虑调制方式对通态损耗的影响。
